APTM100UM45DAG

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MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Número da pe?a NOVA:

312-2265054-APTM100UM45DAG

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

APTM100UM45DAG

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 1000 V 215A (Tc) 5000W (Tc) Chassis Mount SP6

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Microchip Technology
RoHS	1
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SP6
Número do produto base	APTM100
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	POWER MOS 7®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	215A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 30mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1602 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SP6
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1000 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	42700 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	5000W (Tc)