TP5322K1-G
MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
Número da pe?a NOVA:
312-2273353-TP5322K1-G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TP5322K1-G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 220 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB (SOT23) | |
| Número do produto base | TP5322 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120mA (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 200mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 220 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) | |
| Outros nomes | TP5322K1-GDKR TP5322K1-GCT TP5322K1-GTR TP5322K1-G-ND |
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