TP0610T-G
MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Número da pe?a NOVA:
312-2277268-TP0610T-G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TP0610T-G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB (SOT23) | |
| Número do produto base | TP0610 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120mA (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) | |
| Outros nomes | TP0610T-GDKR TP0610T-GTR TP0610T-G-ND TP0610T-GCT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NDS0610onsemi
FCX491ATADiodes Incorporated
CMDSH2-3 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
ZVP3310FTADiodes Incorporated- TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix
2N7002NTE Electronics, Inc
LTC3766EGN#PBFAnalog Devices Inc.- TP0610K-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMS86202onsemi
RV1C001ZPT2LRohm Semiconductor
SSM3J15FS,LFToshiba Semiconductor and Storage
TPS77033DBVTTexas Instruments
BSS84AK,215Nexperia USA Inc.
