MSC080SMA120B4
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Número da pe?a NOVA:
312-2299458-MSC080SMA120B4
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
MSC080SMA120B4
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-4 | |
| Número do produto base | MSC080 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 37A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-4 | |
| Vgs (Máx.) | +23V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 838 pF @ 1000 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 200W (Tc) | |
| Outros nomes | 150-MSC080SMA120B4 |
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