NTH4L080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Número da pe?a NOVA:
312-2264833-NTH4L080N120SC1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTH4L080N120SC1
Embalagem padr?o:
450
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-4L | |
| Número do produto base | NTH4L080 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 29A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-4 | |
| Vgs (Máx.) | +25V, -15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 800 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 170W (Tc) | |
| Outros nomes | 488-NTH4L080N120SC1 |
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