SIA449DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Número da pe?a NOVA:
312-2284828-SIA449DJ-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIA449DJ-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Número do produto base | SIA449 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2140 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Outros nomes | SIA449DJ-T1-GE3DKR SIA449DJT1GE3 SIA449DJ-T1-GE3TR SIA449DJ-T1-GE3CT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
BAV21W-7-FDiodes Incorporated
SIA469DJ-T1-GE3Vishay Siliconix- SIA483DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
NTTFS6H850NLTAGonsemi
SQ3495EV-T1_GE3Vishay Siliconix
PI3USB221EZUAEXDiodes Incorporated
ST3485EBDRSTMicroelectronics- SIA471DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA440DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
MCP6541T-I/LTMicrochip Technology- SIA437DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon Technologies
