SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
Número da pe?a NOVA:
312-2282230-SIA437DJ-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIA437DJ-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 29.7A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Número do produto base | SIA437 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 29.7A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 8 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Outros nomes | SIA437DJ-T1-GE3TR SIA437DJ-T1-GE3DKR SIA437DJ-T1-GE3CT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SIA447DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
TL3301AF260QGE-Switch
MCP6072T-E/SNMicrochip Technology
LTST-C190EKTLite-On Inc.- SIA449DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
ECX-.327-CDX-1293ECS Inc.- SIA445EDJT-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA461DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation- SIA429DJT-T1-GE3Vishay Siliconix
