IPD60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3-313
Número da pe?a NOVA:
312-2311336-IPD60R360CFD7ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD60R360CFD7ATMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3-313 | |
| Número do produto base | IPD60R360 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ CFD7 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 7A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 679 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 43W (Tc) | |
| Outros nomes | SP002621084 448-IPD60R360CFD7ATMA1TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
FCD620N60ZFonsemi- IRFR825TRPBFInfineon Technologies
STD10N60DM2STMicroelectronics
