IRFB31N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
Número da pe?a NOVA:
312-2312520-IRFB31N20DPBF
Número da pe?a do fabricante:
IRFB31N20DPBF
Embalagem padr?o:
1

N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteInternational Rectifier
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220AB
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesHEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-220-3
Vgs (Máx.)±30V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Outros nomes2156-IRFB31N20DPBF
IFEIRFIRFB31N20DPBF

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