IRFB38N20DPBF

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MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB

Número da pe?a NOVA:

312-2289047-IRFB38N20DPBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRFB38N20DPBF

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220AB
Número do produto base	IRFB38
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	43A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2900 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Outros nomes	SP001556010 *IRFB38N20DPBF