IPD80R2K7C3AATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2295350-IPD80R2K7C3AATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD80R2K7C3AATMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D-Pak | |
| Número do produto base | IPD80R2 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 800 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 42W (Tc) | |
| Outros nomes | INFINFIPD80R2K7C3AATMA1 2156-IPD80R2K7C3AATMA1 SP001065818 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR IPD80R2K7C3AATMA1-ND 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT |
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