STD3N95K5AG
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2288415-STD3N95K5AG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STD3N95K5AG
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK | |
| Número do produto base | STD3 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ K5 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 950 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 105 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 45W (Tc) | |
| Outros nomes | STD3N95K5AG-ND 497-18736-6 497-18736-2 497-18736-1 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
STD4NK100ZSTMicroelectronics
R8005ANJFRGTLRohm Semiconductor- STD2N95K5STMicroelectronics
IPD80R2K7C3AATMA1Infineon Technologies
