PHB47NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2264294-PHB47NQ10T,118
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PHB47NQ10T,118
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK | |
| Número do produto base | PHB47NQ10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 47A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 166W (Tc) | |
| Outros nomes | PHB47NQ10T /T3 PHB47NQ10T /T3-ND PHB47NQ10T118 568-5944-6 1727-4767-1 568-5944-6-ND 1727-4767-2 934056745118 568-5944-2-ND PHB47NQ10T,118-ND 568-5944-1-ND 1727-4767-6 568-5944-1 568-5944-2 |
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