SUG90090E-GE3
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Número da pe?a NOVA:
312-2292257-SUG90090E-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUG90090E-GE3
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247AC | |
| Número do produto base | SUG90090 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | ThunderFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 129 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5220 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 395W (Tc) | |
| Outros nomes | SUG90090E-GE3DKRINACTIVE SUG90090E-GE3CTINACTIVE SUG90090E-GE3DKR SUG90090E-GE3TR 742-SUG90090E-GE3 SUG90090E-GE3TR-ND SUG90090E-GE3CT SUG90090E-GE3CT-ND SUG90090E-GE3DKR-ND |
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