SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Número da pe?a NOVA:
312-2289776-SUG80050E-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUG80050E-GE3
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247AC | |
| Número do produto base | SUG80050 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | ThunderFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6250 pF @ 75 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500W (Tc) | |
| Outros nomes | SUG80050E-GE3TR-ND SUG80050E-GE3DKRINACTIVE SUG80050E-GE3TRINACTIVE SUG80050E-GE3DKR-ND SUG80050E-GE3CT SUG80050E-GE3TR SUG80050E-GE3CT-ND SUG80050E-GE3DKR |
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