TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2282004-TP0610K-T1-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TP0610K-T1-E3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número do produto base | TP0610 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 185mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 23 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 350mW (Ta) | |
| Outros nomes | TP0610KT1E3 TP0610K-T1-E3DKR TP0610K-T1-E3CT TP0610K-T1-E3TR |
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