STD12N65M2

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MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2278857-STD12N65M2

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

STD12N65M2

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

N-Channel 650 V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	STMicroelectronics
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	DPAK
Número do produto base	STD12
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	MDmesh™ M2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.5 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±25V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	535 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	85W (Tc)
Outros nomes	497-15458-2 497-15458-1 497-15458-6