TPH2R306NH1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Número da pe?a NOVA:
312-2296259-TPH2R306NH1,LQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPH2R306NH1,LQ
Embalagem padr?o:
5,000
N-Channel 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOP Advance (5x5.75) | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 136A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 800mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TPH2R306NH1LQDKR TPH2R306NH1,LQ(M 264-TPH2R306NH1,LQTR 264-TPH2R306NH1LQCT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SIR180DP-T1-RE3Vishay Siliconix
NTMTS001N06CLTXGonsemi
BSC012N06NSATMA1Infineon Technologies
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
FDMS86350onsemi
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
UCC27201DTexas Instruments- FDMS86550ET60onsemi
- TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
- TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC022N04LS6ATMA1Infineon Technologies