TPH2R306NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Número da pe?a NOVA:
312-2292467-TPH2R306NH,L1Q
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPH2R306NH,L1Q
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Número do produto base | TPH2R306 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.6W (Ta), 78W (Tc) | |
| Outros nomes | TPH2R306NHL1QDKR TPH2R306NH,L1Q(M TPH2R306NHL1QTR TPH2R306NHL1QCT |
In stock Precisa de mais?
0,97530 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage