PMXB65UPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Número da pe?a NOVA:
312-2274164-PMXB65UPEZ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMXB65UPEZ
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DFN1010D-3 | |
| Número do produto base | PMXB65 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 3.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 3-XDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 634 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 317mW (Ta), 8.33W (Tc) | |
| Outros nomes | 568-12342-1 568-12342-2 1727-2177-2 1727-2177-1 568-12342-1-ND 1727-2177-6 568-12342-2-ND PMXB65UPEZ-ND 934067151147 PMXB65UPE,147 568-12342-6 568-12342-6-ND |
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