PMXB75UPEZ
MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Número da pe?a NOVA:
312-2265189-PMXB75UPEZ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMXB75UPEZ
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DFN1010D-3 | |
| Número do produto base | PMXB75 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 3-XDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 608 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 317mW (Ta), 8.33W (Tc) | |
| Outros nomes | 568-12600-2-ND 568-12600-2 1727-2314-6 PMXB75UPEZ-ND 568-12600-1 1727-2314-1 1727-2314-2 568-12600-6-ND 568-12600-1-ND 934067153147 568-12600-6 |
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