NVTFS9D6P04M8LTAG

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Número do produto base	NVTFS9
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	13A (Ta), 64A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 580µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34.6 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerWDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2312 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	3.2W (Ta), 75W (Tc)
Outros nomes	488-NVTFS9D6P04M8LTAGDKR 488-NVTFS9D6P04M8LTAGTR 488-NVTFS9D6P04M8LTAGCT

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