NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2287792-NVTFS5116PLTWG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVTFS5116PLTWG
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Número do produto base | NVTFS5116 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) | |
| Outros nomes | NVTFS5116PLTWGOSDKR NVTFS5116PLTWG-ND NVTFS5116PLTWGOSCT NVTFS5116PLTWGOSTR |
In stock Precisa de mais?
1,58620 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NCV4266ST50T3Gonsemi
NCN8025AMNTXGonsemi
FDC6324Lonsemi
NVMFS5C460NLAFT1Gonsemi
FDS86242onsemi
NCP380HMUAJAATBGonsemi
NCP59748MN2ADJTBGonsemi- FDC6305Nonsemi
NTJD4152PT1Gonsemi- FPF2702MXonsemi
FDG6317NZonsemi
NVTFS5116PLWFTAGonsemi
FDN352APonsemi- FDG6306Ponsemi
- FDC6312Ponsemi
