SQ2301ES-T1

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SQ2301ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3

Número da pe?a NOVA:

312-2294085-SQ2301ES-T1_BE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQ2301ES-T1_BE3

Embalagem padr?o:

3,000

P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto base	SQ2301
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3.9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	425 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	3W (Tc)
Outros nomes	742-SQ2301ES-T1_BE3DKR 742-SQ2301ES-T1_BE3CT 742-SQ2301ES-T1_BE3TR