FCA20N60-F109

DISCRETE MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2276816-FCA20N60-F109
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FCA20N60-F109
Embalagem padr?o:
1

N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-3PN
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesSuperFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-3P-3, SC-65-3
Vgs (Máx.)±30V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)600 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 208W (Tc)
Outros nomes2156-FCA20N60-F109-488

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