IRF730

N-CHANNEL, MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2270769-IRF730
Número da pe?a do fabricante:
IRF730
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteHarris Corporation
RoHS 1
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220
Número do produto base IRF7
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesPowerMESH™ II
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-220-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)400 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 100W (Tc)
Outros nomes2156-IRF730
HARHARIRF730

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