TK8R2A06PL,S4X
MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Número da pe?a NOVA:
312-2290647-TK8R2A06PL,S4X
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK8R2A06PL,S4X
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220SIS | |
| Número do produto base | TK8R2A06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSIX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28.4 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1990 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 36W (Tc) | |
| Outros nomes | TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PLS4X |
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