TK8S06K3L(T6L1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2301957-TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK+ | |
| Número do produto base | TK8S06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSIV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 25W (Tc) | |
| Outros nomes | TK8S06K3L(T6L1NQ) TK8S06K3LT6L1NQ |
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