FDMS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2263433-FDMS4435BZ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDMS4435BZ
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número do produto base | FDMS4435 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 18A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) | |
| Outros nomes | FDMS4435BZTR ONSFSCFDMS4435BZ 2156-FDMS4435BZ-OS FDMS4435BZCT FDMS4435BZDKR FDMS4435BZ-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
STL30P3LLH6STMicroelectronics
CMS45P03H8-HFComchip Technology
FQD11P06TMonsemi
RS1E260ATTB1Rohm Semiconductor
NVMFS5113PLT1Gonsemi
FDMC4435BZonsemi
FDWS9508L-F085onsemi