TSM3443CX6 RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Número da pe?a NOVA:
312-2274998-TSM3443CX6 RFG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TSM3443CX6 RFG
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-26
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-26 | |
| Número do produto base | TSM3443 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.7A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) | |
| Outros nomes | TSM3443CX6 RFGTR-ND TSM3443CX6 RFGDKR TSM3443CX6 RFGCT-ND TSM3443CX6RFGCT TSM3443CX6 RFGTR TSM3443CX6 RFGCT TSM3443CX6RFGTR TSM3443CX6 RFGDKR-ND TSM3443CX6RFGDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
RQ6E050ATTCRRohm Semiconductor
IRLMS6802TRPBFInfineon Technologies- IRFTS9342TRPBFInfineon Technologies
SI9933CDY-T1-GE3Vishay Siliconix
SI3443DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
TSM260P02CX6 RFGTaiwan Semiconductor Corporation
DMP3056LDM-7Diodes Incorporated- IRLTS2242TRPBFInfineon Technologies
