SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
Número da pe?a NOVA:
303-2247697-SI9933CDY-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI9933CDY-T1-GE3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | SI9933 | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V | |
| Recurso FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 10V | |
| Potência - Máx. | 3.1W | |
| Outros nomes | SI9933CDY-T1-GE3TR SI9933CDYT1GE3 SI9933CDY-T1-GE3DKR SI9933CDY-T1-GE3CT |
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