PHB191NQ06LT,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2274114-PHB191NQ06LT,118
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PHB191NQ06LT,118
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK | |
| Número do produto base | PHB191 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 75A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 95.6 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 55 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7665 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) | |
| Outros nomes | 1727-3055-6 934058543118 568-2188-6 568-2188-1 568-2188-6-ND 568-2188-2 2156-PHB191NQ06LT,118-NEX 1727-3055-1 1727-3055-2 NEXNEXPHB191NQ06LT,118 PHB191NQ06LT /T3 568-2188-2-ND 568-2188-1-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- IRF3205STRLPBFInfineon Technologies
- RSJ550N10TLRohm Semiconductor
- IPB80N08S2L07ATMA1Infineon Technologies
- RSJ650N10TLRohm Semiconductor



