NTLJF4156NT1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2280771-NTLJF4156NT1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTLJF4156NT1G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-WDFN (2x2) | |
| Número do produto base | NTLJF4156 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.5A (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| Pacote / Estojo | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 427 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 710mW (Ta) | |
| Outros nomes | NTLJF4156NT1GOSDKR =NTLJF4156NT1GOSCT-ND NTLJF4156NT1GOSCT ONSONSNTLJF4156NT1G 2156-NTLJF4156NT1G-OS NTLJF4156NT1GOSTR NTLJF4156NT1G-ND |
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