BSC026N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2282413-BSC026N04LSATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC026N04LSATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-6 | |
| Número do produto base | BSC026 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC026N04LSATMA1-ND SP001067014 BSC026N04LSATMA1DKR BSC026N04LSATMA1TR BSC026N04LSATMA1CT |
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