NTB25P06T4G
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2263245-NTB25P06T4G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTB25P06T4G
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D²PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK | |
| Número do produto base | NTB25 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 27.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 120W (Tj) | |
| Outros nomes | NTB25P06T4GOS NTB25P06T4GOSTR NTB25P06T4GOSCT NTB25P06T4GOS-ND ONSONSNTB25P06T4G 2156-NTB25P06T4G-OS NTB25P06T4GOSDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IRF9540NSTRLPBFInfineon Technologies
STL30P3LLH6STMicroelectronics- NP36P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
FQD11P06TMonsemi
SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix- NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
PSMN015-60BS,118Nexperia USA Inc.
IRF9Z34STRLPBFVishay Siliconix
ATP113-TL-Honsemi- SQM110P06-8M9L_GE3Vishay Siliconix
RFD14N05LSM9AHarris Corporation- NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc