FDMS039N08B

MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2279508-FDMS039N08B
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDMS039N08B
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:

N-Channel 80 V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-PQFN (5x6)
Número do produto base FDMS039
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesPowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Outros nomesFDMS039N08BTR
FDMS039N08BCT
FDMS039N08BDKR

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