FDMS86310
MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2282196-FDMS86310
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDMS86310
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número do produto base | FDMS86 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6290 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| Outros nomes | FDMS86310TR FDMS86310DKR FDMS86310CT FDMS86310-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- FDMS039N08Bonsemi
- BSC040N10NS5ATMA1Infineon Technologies
- NVMFS6H824NLT1Gonsemi




