ISZ0803NLSATMA1

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TRENCH >=100V PG-TSDSON-8

Número da pe?a NOVA:

312-2275702-ISZ0803NLSATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

ISZ0803NLSATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 7.7A (Ta), 37A (Tc) 2.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TSDSON-8-26
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™ 5
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	7.7A (Ta), 37A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 18µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	2.1W (Ta), 43W (Tc)
Outros nomes	SP005430493 448-ISZ0803NLSATMA1TR 448-ISZ0803NLSATMA1DKR 448-ISZ0803NLSATMA1CT