ISZ0804NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Número da pe?a NOVA:
312-2268457-ISZ0804NLSATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
ISZ0804NLSATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TSDSON-8-26 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ 5 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 58A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 28µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 60W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-ISZ0804NLSATMA1DKR SP005430388 448-ISZ0804NLSATMA1CT 448-ISZ0804NLSATMA1TR |
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