HUF75545S3ST
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2291109-HUF75545S3ST
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
HUF75545S3ST
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Número do produto base | HUF75545 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | UltraFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 75A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 270W (Tc) | |
| Outros nomes | 2156-HUF75545S3ST-OS HUF75545S3STDKR HUF75545S3STCT HUF75545S3STTR ONSONSHUF75545S3ST HUF75545S3ST-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.
- STB120NF10T4STMicroelectronics
- SUM90P10-19L-E3Vishay Siliconix
- HUF75645S3STonsemi
- STH80N10LF7-2AGSTMicroelectronics





