STH80N10LF7-2AG
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Número da pe?a NOVA:
312-2311555-STH80N10LF7-2AG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STH80N10LF7-2AG
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | H2Pak-2 | |
| Número do produto base | STH80 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28.3 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 110W (Tc) |
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