SI9433BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2282200-SI9433BDY-T1-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI9433BDY-T1-E3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | SI9433 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 6.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) | |
| Outros nomes | SI9433BDY-T1-E3CT SI9433BDY-T1-E3DKR SI9433BDYT1E3 SI9433BDY-T1-E3TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SI4431BDY-T1-E3Vishay Siliconix
IRF7205TRPBFInfineon Technologies- IRF7416TRPBFInfineon Technologies
- SI4463BDY-T1-E3Vishay Siliconix
- IRF7404TRPBFInfineon Technologies
SI9435BDY-T1-E3Vishay Siliconix- SI9407BDY-T1-E3Vishay Siliconix
DMP2022LSS-13Diodes Incorporated
