IXFT80N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Número da pe?a NOVA:
312-2299591-IXFT80N65X2HV
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFT80N65X2HV
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-268HV (IXFT) | |
| Número do produto base | IXFT80 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8300 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 890W (Tc) |
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