G3R30MT12J

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SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

Número da pe?a NOVA:

312-2263618-G3R30MT12J

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

G3R30MT12J

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 1200 V 96A (Tc) 459W (Tc) Surface Mount TO-263-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-263-7
Número do produto base	G3R30
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Series	G3R™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	96A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.69V @ 12mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 15 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Máx.)	±15V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3901 pF @ 800 V
Dissipação de energia (máx.)	459W (Tc)
Outros nomes	1242-G3R30MT12J