SCT10N120H
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Número da pe?a NOVA:
312-2273357-SCT10N120H
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCT10N120H
Embalagem padr?o:
1,000
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | H2Pak-2 | |
| Número do produto base | SCT10 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | +25V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) | |
| Outros nomes | SCT10N120H-ND 497-SCT10N120HCT 497-SCT10N120HDKR 497-SCT10N120HTR |
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