BUK9Y19-100E,115
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Número da pe?a NOVA:
312-2287951-BUK9Y19-100E,115
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BUK9Y19-100E,115
Embalagem padr?o:
1,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número do produto base | BUK9Y19 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 56A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5085 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 167W (Tc) | |
| Outros nomes | 568-11546-2 934066629115 568-11546-1-ND 1727-1855-2 568-11546-2-ND 1727-1855-1 BUK9Y19-100E,115-ND 568-11546-1 568-11546-6-ND 568-11546-6 1727-1855-6 |
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