BSC019N04NSGATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC019
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 85µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	108 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8800 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Outros nomes	BSC019N04NSGATMA1CT BSC019N04NS GDKR-ND BSC019N04NS GCT BSC019N04NS G-ND BSC019N04NS GTR-ND BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND 2156-BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NS G BSC019N04NS GDKR BSC019N04NS GCT-ND BSC019N04NSGATMA1TR BSC019N04NSGATMA1DKR BSC019N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND INFINFBSC019N04NSGATMA1 SP000388299

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