BSC018N04LSGATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC018
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 85µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12000 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Outros nomes	SP000388293 BSC018N04LS GDKR BSC018N04LSGATMA1TR BSC018N04LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC018N04LSGATMA1DKR BSC018N04LS G BSC018N04LS GCT-ND BSC018N04LS GTR-ND BSC018N04LSGATMA1CT BSC018N04LS GDKR-ND BSC018N04LS G-ND BSC018N04LSG BSC018N04LS GCT BSC018N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND

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