SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2280561-SUD50N04-8M8P-4GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | SUD50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) | |
| Outros nomes | SUD50N04-8M8P-GE3CT SUD50N04-8M8P-GE3CT-ND SUD50N04-8M8P-4GE3CT SUD50N04-8M8P-GE3TR SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND SUD50N048M8P4GE3 SUD50N04-8M8P-GE3TR-ND SUD50N04-8M8P-4GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR SUD50N04-8M8P-4GE3TR |
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