FQD3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2263167-FQD3P50TM
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FQD3P50TM
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | FQD3P50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | QFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.1A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.05A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 500 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Outros nomes | FQD3P50TM-ND FQD3P50TMCT FQD3P50TMTR FQD3P50TMDKR |
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